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Dynamical and structural study of functional oxide thin layers : SrTiO3, VO2 and Al2O3

Soutenance de thèse de Weiwei Peng.

Lundi 4 Avril 2011 à 9h30, Salle Magnat, Bât. 349, Université Paris Sud, Orsay

 

 

Monday 4 April 2011

Afin de développer de nouvelles applications aux couches minces d'oxydes fonctionnels, il est nécessaire de comprendre les corrélations entre leurs modes de croissance, leur microstructure, leur structure à l'interface avec le substrat, et leurs contraintes et propriétés physiques.


Pour cela, une étude par spectroscopie infrarouge et THz des systèmes modèles films/substrats a été exécutée, et confrontée à des calculs théoriques, en particulier sur des couches épitaxiales de SrTiO3/Si(001), VO2/Gd2O3/Si(111) et des couches d'alumine sur alliage d'aluminium. Les caractéristiques vibrationnelles des couches minces sont ici étudiées dans l'infrarouge moyen et lointain sur la ligne AILES du Synchrotron SOLEIL, et simulées à l'aide de la Théorie de la Fonctionnelle de la Densité (DFT), permettant ainsi la première détermination de la structure cristalline de ces couches.


Ainsi, une comparaison entre la structure bidimensionnelle et tridimensionnelle des matériaux est effectuée. L'effet des contraintes dans les couches est évalué grâce aux variations des énergies de vibration par rapport au matériau massif. L'influence des conditions expérimentales de l'épitaxie dans la structure locale interatomique de couches minces de SrTiO3/Si(001) est évaluée. D'autre part, la nature de l'interface STO-Si peut être caractérisée par les modes de vibration du réseau cristallin.


Enfin, la transition métal-isolant (MIT) des couches minces de VO2 sur des substrats de Gd2O3/Si(111) est étudié par spectroscopie IR ; les variations de propriétés optiques et diélectriques pendant la transition, ainsi que les changements d'intensité des modes de vibration, indiquent que la transition est entraînée par une corrélation électronique et une basse température. La phase monoclinique

M1 de VO2 est un isolant de Mott. Ce résultat peut aider à un meilleur contrôle des MIT de couches minces de VO2 pour de futures applications.

 

 

 
 
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